Применяется для обеспечения хорошей теплопередачи между тепловыделяющим компонентом (процессор, микросборка, LED) и радиатором. Также обладет диэлектрическими свойствами, электрически изолируя радиатор от компонента. Силиконовая основа придает материалу высокую эластичность, подложка хорошо заполняет микрорельеф поверхностей сопряжения. В качестве наполнителя применен нитрид алюминия, обладающий отличной теплопроводностью. Характеристики:

• толщина: 2 мм
• размер листа: 400 х 200 мм
• теплопроводность: 1,5Вт/мК
• диэлектрическая проницаемость: 4,5 кВ/мм
• диапазон рабочих температур: -50°C +200°C
• коэффициент линейного удлиннения: 1,48